三星電子有限公司周四宣布,星宣芯片該公司已經開始在其位于韓國的布已華城工廠大規模生產3納米半導體芯片,是量產武漢江岸外圍美女服務vx《189-4143》提供外圍女上門服務快速選照片快速安排不收定金面到付款30分鐘可到達全球首家量產3納米芯片的公司。

圖片來源于三星半導體官方微博
與前幾代使用FinFET的納米芯片不同,三星使用的為全GAA(Gate All Around)晶體管架構,該架構大大改善了功率效率。球首三星半導體官方微博表示,家量“相較三星5納米(nm)而言,產納優化的米芯3納米(nm)工藝,性能提高23%,公司武漢江岸外圍美女服務vx《189-4143》提供外圍女上門服務快速選照片快速安排不收定金面到付款30分鐘可到達功耗降低45%,星宣芯片芯片面積減少16%”。布已
據介紹,量產3nm GAA技術采用了更寬通的納米納米片,與采用窄通道納米線的為全GAA?技術相比能提供更高的性能和能耗比。3nm GAA技術上,三星能夠調整納米晶體管的通道寬度,優化功耗和性能,從而能夠滿足客戶的多元需求。
此外,GAA的設計靈活性對設計技術協同優化(DTCO)非常有利,有助于實現更好的PPA 優勢。與三星5nm工藝相比,第一代3nm工藝可以使功耗降低45%,性能提升23%,芯片面積減少16%;而未來第二代3nm工藝則使功耗降低50%,性能提升30%,芯片面積減少35%。