Micro LED技術(shù)迎來(lái)突破 高色穩(wěn)定全彩Micro LED研發(fā)成功
[知識(shí)] 時(shí)間:2025-11-26 21:09:12 來(lái)源:桑間濮上網(wǎng) 作者:娛樂(lè) 點(diǎn)擊:161次
Micro LED發(fā)展一直受到技術(shù)限制,技術(shù)然而最近有學(xué)者們采用半極化Micro LED結(jié)合量子點(diǎn)熒光粉光阻技術(shù),迎突D研制作出高色穩(wěn)定的破高湛頭美女快餐外圍上門(mén)外圍女(電話微信181-2989-2716)提供1-2線熱門(mén)城市快速安排30分鐘到達(dá)全彩Micro LED陣列,相關(guān)成果即將發(fā)表。色穩(wěn)
Micro LED被視為取代TFT-LCD及OLED display的定全次世代顯示器技術(shù)。建立在LED高效能的發(fā)成基礎(chǔ)上,理想的技術(shù)Micro LED顯示器具有高像素、高對(duì)比、迎突D研自發(fā)光、破高低能耗及壽命長(zhǎng)等各種優(yōu)勢(shì),色穩(wěn)備受看好。定全
然而,發(fā)成當(dāng)前的技術(shù)Micro LED仍面臨許多困難需要克服,其中最困擾研究人員與制造商的迎突D研便是巨量轉(zhuǎn)移制程(Mass transfer process),如何將紅、破高湛頭美女快餐外圍上門(mén)外圍女(電話微信181-2989-2716)提供1-2線熱門(mén)城市快速安排30分鐘到達(dá)藍(lán)、綠三種顏色的LED芯片快速且精確地接合至面板的驅(qū)動(dòng)電路上,以及克服芯片材料特性不同的挑戰(zhàn),特別是紅光Micro-LED還有易碎等問(wèn)題,因此巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)至今仍沒(méi)有能達(dá)到量產(chǎn)的解決方案被提出。
臺(tái)灣交通大學(xué)的郭浩中教授等人,與美國(guó)新創(chuàng)公司Saphlux、耶魯大學(xué)、廈門(mén)大學(xué)的研究人員合作,采用半極化(Semipolar)的Micro LED結(jié)合量子點(diǎn)熒光粉光阻(Quantum dot photoresist)的技術(shù),制作出高色穩(wěn)定的全彩Micro LED陣列,相關(guān)研究成果已被Photonics Research期刊接受,并即將發(fā)表。

圖片來(lái)源: Chen et al. 2020
研究團(tuán)隊(duì)主持人郭浩中表示,為了減少巨量轉(zhuǎn)移的次數(shù),該團(tuán)隊(duì)長(zhǎng)期專注在量子點(diǎn)熒光粉色轉(zhuǎn)換技術(shù)的應(yīng)用,只需要一種顏色的LED芯片(藍(lán)光或近紫外光)搭配不同顏色的量子點(diǎn)熒光粉,即可實(shí)現(xiàn)全彩的功能,且量子點(diǎn)熒光粉的演色性相當(dāng)突出。
郭浩中也提到,除了巨量轉(zhuǎn)移制程的挑戰(zhàn),LED芯片本身也面臨不少問(wèn)題。譬如藍(lán)綠光LED芯片會(huì)隨著操作電流改變,產(chǎn)生發(fā)光顏色變化的現(xiàn)象,意味著顯示器為了配合環(huán)境光源改變亮度時(shí),就有可能產(chǎn)生顏色變化,不利于顯示器的使用,因此必須解決LED芯片色偏移的問(wèn)題。
該團(tuán)隊(duì)采用半極化磊晶技術(shù)制作LED芯片,藉由半極化材料的特性,大幅減少LED光源本身的發(fā)光波長(zhǎng)偏移(Wavelength-shift)現(xiàn)象,進(jìn)而克服色偏移的問(wèn)題;在這個(gè)研究中的第二個(gè)突破就是采用量子點(diǎn)熒光粉光阻技術(shù),該技術(shù)透過(guò)特殊的方法,將量子點(diǎn)熒光粉與光阻液混合,搭配傳統(tǒng)的微影制程,達(dá)到大面積制作彩色像素需求,取代分別轉(zhuǎn)移紅、藍(lán)、綠的LED芯片的方法,大幅降低轉(zhuǎn)移制程的困難度。
最后,結(jié)合上述兩種技術(shù),研究團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)了高色穩(wěn)定的全彩Micro LED陣列,同時(shí)具有大面積制造的可能性,為Micro LED顯示器技術(shù)的發(fā)展注入一股新血。
Micro LED被視為取代TFT-LCD及OLED display的定全次世代顯示器技術(shù)。建立在LED高效能的發(fā)成基礎(chǔ)上,理想的技術(shù)Micro LED顯示器具有高像素、高對(duì)比、迎突D研自發(fā)光、破高低能耗及壽命長(zhǎng)等各種優(yōu)勢(shì),色穩(wěn)備受看好。定全
然而,發(fā)成當(dāng)前的技術(shù)Micro LED仍面臨許多困難需要克服,其中最困擾研究人員與制造商的迎突D研便是巨量轉(zhuǎn)移制程(Mass transfer process),如何將紅、破高湛頭美女快餐外圍上門(mén)外圍女(電話微信181-2989-2716)提供1-2線熱門(mén)城市快速安排30分鐘到達(dá)藍(lán)、綠三種顏色的LED芯片快速且精確地接合至面板的驅(qū)動(dòng)電路上,以及克服芯片材料特性不同的挑戰(zhàn),特別是紅光Micro-LED還有易碎等問(wèn)題,因此巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)至今仍沒(méi)有能達(dá)到量產(chǎn)的解決方案被提出。
臺(tái)灣交通大學(xué)的郭浩中教授等人,與美國(guó)新創(chuàng)公司Saphlux、耶魯大學(xué)、廈門(mén)大學(xué)的研究人員合作,采用半極化(Semipolar)的Micro LED結(jié)合量子點(diǎn)熒光粉光阻(Quantum dot photoresist)的技術(shù),制作出高色穩(wěn)定的全彩Micro LED陣列,相關(guān)研究成果已被Photonics Research期刊接受,并即將發(fā)表。

圖片來(lái)源: Chen et al. 2020
研究團(tuán)隊(duì)主持人郭浩中表示,為了減少巨量轉(zhuǎn)移的次數(shù),該團(tuán)隊(duì)長(zhǎng)期專注在量子點(diǎn)熒光粉色轉(zhuǎn)換技術(shù)的應(yīng)用,只需要一種顏色的LED芯片(藍(lán)光或近紫外光)搭配不同顏色的量子點(diǎn)熒光粉,即可實(shí)現(xiàn)全彩的功能,且量子點(diǎn)熒光粉的演色性相當(dāng)突出。
郭浩中也提到,除了巨量轉(zhuǎn)移制程的挑戰(zhàn),LED芯片本身也面臨不少問(wèn)題。譬如藍(lán)綠光LED芯片會(huì)隨著操作電流改變,產(chǎn)生發(fā)光顏色變化的現(xiàn)象,意味著顯示器為了配合環(huán)境光源改變亮度時(shí),就有可能產(chǎn)生顏色變化,不利于顯示器的使用,因此必須解決LED芯片色偏移的問(wèn)題。
該團(tuán)隊(duì)采用半極化磊晶技術(shù)制作LED芯片,藉由半極化材料的特性,大幅減少LED光源本身的發(fā)光波長(zhǎng)偏移(Wavelength-shift)現(xiàn)象,進(jìn)而克服色偏移的問(wèn)題;在這個(gè)研究中的第二個(gè)突破就是采用量子點(diǎn)熒光粉光阻技術(shù),該技術(shù)透過(guò)特殊的方法,將量子點(diǎn)熒光粉與光阻液混合,搭配傳統(tǒng)的微影制程,達(dá)到大面積制作彩色像素需求,取代分別轉(zhuǎn)移紅、藍(lán)、綠的LED芯片的方法,大幅降低轉(zhuǎn)移制程的困難度。
最后,結(jié)合上述兩種技術(shù),研究團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)了高色穩(wěn)定的全彩Micro LED陣列,同時(shí)具有大面積制造的可能性,為Micro LED顯示器技術(shù)的發(fā)展注入一股新血。
(責(zé)任編輯:焦點(diǎn))
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