芯研所3月26日消息,發(fā)布日前,核心NVIDIA發(fā)布H100 GPU核心,發(fā)布
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在面積幾乎相同的情況下,H100核心的晶體管密度提升了48%左右,不過比臺積電官方宣稱的密度提升80%要少。NVIDIA上次使用臺積電定制工藝還要追溯到12nm圖靈時代,這次則是4nm工藝定制版,但是跟之前一樣,NVIDIA并沒有明確給出定制版4N工藝跟臺積電N4工藝區(qū)別有多少。
目前所知的差異主要是能效,4N工藝重點優(yōu)化了省電,雖然SXM版H100最高功耗有700W,但是PCIe 5.0版的功耗是350W,相比目前的A100核心的400W還低了,但性能提升是數倍的,可見能效之高。