三星公布其代工路線圖：2025年量產2nm芯片 2027年量產1.4nm芯片 – 藍點網
三星集團旗下負責芯片代工的星公芯片m芯子公司三星代工日前在三星代工論壇上介紹了該公司接下來的路線圖，根據三星代工的代工點網說明，該公司計劃在 2025 年量產 SF2 節點 (對應著 2nm 工藝)、線量產杭州臨安小姐姐包夜vx《1662+044+1662》提供外圍女上門服務快速選照片快速安排不收定金面到付款30分鐘可到達在 2025 年完成 SF1.4 節點 (對應著 1.4nm 工藝) 的圖年技術開發，到 2027 年量產。年量
首先是片藍 SF2 工藝，三星代工將從 2025 年開始為客戶提供 SF2 芯片生產，星公芯片m芯該技術在能效方面提高 25%、代工點網性能提升 12%、線量產杭州臨安小姐姐包夜vx《1662+044+1662》提供外圍女上門服務快速選照片快速安排不收定金面到付款30分鐘可到達芯片面積較三星代工的圖年 SF3 (對應著 3nm 工藝) 縮減 5%。
為了讓 SF2 工藝更具有競爭性，年量三星打算為 SF2 提供一系列先進的片藍 IP 組合集成到芯片設計里，包括 LPDDR5X、星公芯片m芯HBM3P、代工點網PCIe Gen 6、線量產112G SerDes。
在 SF2 之后的并非 SF1.4 而是 SF2P，SF2P 是 SF2 的增強版，專門為高性能計算優化，到 2027 年再推出 SF2A，專門為汽車行業提供優化。關于 SF1.4 目前還沒有太多的消息，SF1.4 計劃是在 2027 年量產。
三星還準備繼續推進其射頻技術，三星代工預計 5nm RF 工藝將在 2025 年上半年準備好，與舊的 14nm RF 工藝相比，5nm 版晶體管密度提高 50%、能效提高 40%。
其他產品方面，三星代工還是在 2025 年，生產用于各種領域的氮化鎵 (GaN) 半導體，面向消費級產品、數據中心、汽車行業提供。
