據臺媒《經濟日報》5 月 2 日轉引外媒披露，星n先于三星在對投資人釋出的程有產力車最新簡報中透露，旗下 3nm 制程將在未來幾周內開始投產，臺積圖彎貴陽兼職大學生妹包養（電話微信189-4469-7302）提供全球及一二線城市兼職大學生妹包養外圍上門外圍女全套一條龍進度比臺積電更快，電投道超力圖彎道超車，星n先于正式引爆今年臺積電與三星最先進的程有產力車制程競爭激戰。

　　臺積電向來不對競爭對手置評。臺積圖彎臺積電先前于法說會上指出，電投道超采用 FinFET 架構的星n先于貴陽兼職大學生妹包養（電話微信189-4469-7302）提供全球及一二線城市兼職大學生妹包養外圍上門外圍女全套一條龍 3nm 依原規畫在下半年量產，將是程有產力車“下個大成長節點”。



　　業界人士分析，臺積圖彎三星雖然宣稱 3nm 邁入量產倒數計時，電投道超但從晶體管密度、星n先于效能等層面分析，程有產力車三星的臺積圖彎 3nm 與應與臺積電 5nm 家族的 4nm，以及英特爾的 Intel 4 制程相當。

　　據臺媒《經濟日報》分析，三星以“3nm”為最新制程進度命名，表面上贏了面子，但在晶體管密度、效能等都還是落后臺積電，“實際上還是輸了里子”。

　　TechSpot 等外媒報導，三星向投資人簡報表示，正全力準備讓 GAA 架構的 3nm 制程在今年上半年進入投產階段，也就是在未來八周內啟動量產程序，意味 3nm 量產倒數計時。

　　三星表示，相較于目前旗下 7nm FinFET 架構制程，新的 3nm 制程所生產的芯片，可以在 0.75 伏特以下的低電壓環境工作，使整體耗電量降低 50%，效能提升 30%，芯片體積減少 45%。

　　分析師指出，三星的 3nm 制程所能達到的晶體管密度，最終可能與英特爾的制程 4 或者臺積電的 nm 米家族當中的 4nm 相當，但是頻寬與漏電控制表現會更好，帶來更優異的效能。

　　但目前無法得知的最大變量，是三星的 3nm 制程良率能有多好。三星先前全力發展的 4nm 制程就因良率太低，導致主要客戶大幅轉單臺積電。業界傳出，目前三星 3nm 良率僅約 10% 出頭，但未獲三星證實。

　　另一方面，三星也未透露采用其 3nm 制程的客戶。相較之下，臺積電總裁魏哲家先前已于法說會上透露，旗下 3nm 應用有諸多客戶參與，預計首年相較 5nm 與 7nm，會有更多新的產品設計定案。

　　業界認為，蘋果、AMD、英偉達、高通、英特爾、聯發科等大廠，都會是臺積電 3nm 量產初期的主要客戶，應用范圍涵蓋高速運算、智慧手機等領域。臺積電強調，3nm 今年下半年量產之后，在 PPA（效能、功耗及面積）及晶體管技術都將領先，且有良好的良率，有信心 3nm 會持續贏得客戶信賴。

　　另外，臺積電也已著手進行更先進的 2nm 布局，預期 2024 年風險試產，目標 2025 年量產，看好 2nm 將是業界最領先，且是支持客戶成長最適合的技術。

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